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BAE将与AFRL合作,建立一个140纳米的GaN MMIC工艺线,可在2020年投入生产
[发布日期:2018-10-25  点击次数:468]

BAE系统公司与空军研究实验室(AFRL)签署了一项合作协议,旨在将美国空军开发的GaN半导体技术转移给先进微波产品(AMP)中心。

BAE将转移并进一步增强该技术,并将其扩展到6英寸晶圆,以降低每芯片成本,并保障这种关键技术可获取。

根据协议,BAE将与AFRL合作,建立一个140纳米的GaN MMIC工艺线,该工艺线将于2020年开始生产,并通过开放式代工服务向国防部(DoD)供应商提供产品。

BAE Systems的高级微波产品总监Scott Sweetland表示,“目前在研发实验室中,以低产量和高成本生产毫米波GaN,或者在国防供应商无法广泛使用的专属代工厂中生产。”该协议将利用AFRL的高性能技术和BAE Systems6英寸制造能力,推动GaN MMIC的性能、可靠性和经济性,同时为这一关键技术提供更广泛的获取路径。

该项目的工作将主要在BAE位于新罕布什尔州纳舒厄的70,000平方英尺微电子中心(MEC)进行,该基地主要用于研究、开发和生产各种化合物半导体材料、器件、电路和模块,用于微波和毫米波应用。自2008年以来,MEC一直是经过认证的DoD 1A类可信供应商,并为关键的国防部计划生产量产的集成电路。

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