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LTO3制式磁头的优化设计
[发布日期:2011-06-21  点击次数:1899]
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摘要:邓俊彦1,邓沛然2,邓芬燕3
(1. 东莞理工学院 城市学院 实验中心,广东东莞 523106;
2. 上海工程技术大学 材料工程学院,上海 201620;
3. 长沙大学 实验中心,湖南长沙 410003 )

摘  要:LTO制式的磁带机用于服务器上的数据储存,LTO3是第三代LTO产品,磁头为各向异性磁电阻磁头(AMR)。本文应用田口方法对磁头的关键参数进行优化设计,如磁电阻材料NiFe、偏转磁场材料CoZrMo的厚度和屏蔽层的参数,对各因素的影响作了定量分析,确定了影响磁头性能的关键因素,从而获得了最佳的设计参数,使磁头有较好的性能和稳定性。
关键词…
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