LTCC片式耦合器的仿真设计研究 |
[发布日期:2012-12-21 点击次数:1533] |
|
|
本文章是不对游客公开的,您只能查看摘要。需要查看全文,请登录会员后再查看。 |
摘要:王 升 (西南应用磁学研究所,四川绵阳 621000)
摘 要:给出了一种基于LTCC技术的多层片式定向耦合器的设计方法。该设计采用宽边耦合的传输线实现耦合,并且在基体材料内没有地层,因而可以得到紧凑的结构。给出了通过电磁仿真软件HFSS仿真及设计DCS/PCS频段LTCC耦合器的详细实例。仿真结果表明,该器件频率使用范围为1810±100MHz,插入损耗不超过0.21dB,耦合度为16.5±1.0dB,电压驻波比不超过1.08,输出相位为90±2°,外型尺寸仅为1.0×0.5×0.35mm3;能够满足DCS/PCS频段手机的应用要求。 关键词:片式耦合器;低温共烧陶瓷… |
|