我国在半导体照明领域取得的最新进展。据了解，我国在具有自主知识产权的关键设备MOCVD、HVPE以及在LED器件如深紫外LED等都取得了重大进展。采用国产MOCVD设备制造了蓝光LED芯片在20mA驱动电流下发光功率达到8.3mW,达到了国际先进水平，中科院半导体所设计的国产48片MOCVD机已经完成组装，已进入设备调试阶段。而HVPE设备有可能成为未来半导体照明的核心装备，目前也正在积极发展之中。
　　另外中科院半导体所在深紫外LED、垂直结构LED芯片、纳米图形衬底等都取得了重大进展。尤其是在深紫外LED领域，不仅可以应用于照明领域，在生物领域也有很大的发展空间，采用深紫外LED对细菌杀菌率达到了90%以上。然而，李所长也提到，目前我国在LED照明关键领域仍然面临诸多问题和挑战：研发投入不够，力量分散，资源不能共享以及低水平建设突出等等。
　　对于照明光源而言，各种光污染已经影响到了人类健康。而LED作为无频闪、无紫外线辐射、无电磁波辐射、较低热辐射等特性，使之成为真正的健康光源。同时，LED具有多色彩、智能化的优点，可以实现不同环境下照明应用，非常适合室内对于照明的需求。
　　2010年我国LED产业整体规模已经达到1200亿元，未来5年仍然会以超过30%的复合增长率增长，预计到2015年，我国LED产业规模将达到5000亿元，但目前我国LED企业规模小且分散，产业虽大但不强。因此，需要从国家层面进行统筹协调，加大对关键领域的投入以应对来自国际化的竞争。
　　目前LED业者在LED向背光领域渗透过程中已经积累较多关于如何提升性能、降低成本等领域的经验。而对于固态照明时代的到来，对于LED来说，挑战不仅仅是在于lm/W(光效)，同时也仰赖于lm/$(成本)，当成本达到500lm/$时，将会启动LED照明爆发式增长。而基于目前LED行业投入和技术发展来看，这一时间节点有望在2012-2013年间实现。